新华网北京６月２２日专电ＩＢＭ公司与美国佐治亚理工学院在近乎绝对零度的环境下成功将一颗硅锗芯片运行到５００ＧＨｚ，即每秒运算５０００亿次，从而刷新了硅锗芯片的运行速度纪录。 两家机构的研究人员把这种硅锗芯片冷却至零下２６８摄氏度，接近绝对零度，时芯片运作速度达到５００ＧＨｚ，而在室温下，该芯片速度也能稳定运行在３５０ＧＨｚ。 据美联社报道，这种芯片类似于标准的硅基芯片，加入的锗元素使得芯片的功耗更低，性能更佳，而超低温环境使得芯片内部电阻降低，从而极大提升了硅晶体管的运行速度。 ＩＢＭ首席技术官贝尔尼·迈耶森介绍说，这种硅锗芯片的运算速度是个人电脑的１００倍，比手机芯片快２５０倍。由于硅基芯片在低温下可以获得更好的性能，研究人员预言，这种芯片最终能达到１ＴＨｚ的运行频率。 作为世界上第一个生产硅锗芯片的厂商，ＩＢＭ自１９９８年已经销售了上亿个普通硅锗芯片。目前高性能的硅锗芯片只应用于导弹防御系统、宇宙飞行器以及遥感测量等特殊领域。该公司希望此项技术能够在数年内被用于个人超级电脑和高速无线网络的开发。（完）